TRANSISTOR IRF640N | Car Audio System
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TRANSISTOR IRF640N

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    • Categoría del transistor: MOSFET
    • Estilo de montaje : Through Hole
    • Polaridad del transistor: N-Channel
    • Número de canales: 1 Canal
    • Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55V
    • Corriente de drenaje continua: 110 A
    • Resistencias entre drenaje y fuente :  8m Ohms
    • Tensión entre compuerta y fuente: -20V, +20V
    • Temperatura de trabajo : -55C – +175C
    • Disipación de potencia: 200 W
    • Tiempo de caída: 65ns
    • Tiempo de subida: 101ns
    • Peso de la unidad : 2g

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